STMicroelectronics - STマイクロエレクトロニクス

STPOWER SiC MOSFET

STMicroelectronicsの最先端のMOSFETパッケージは、車載用および産業用アプリケーション向けの特別な設計

「STMicroelectronicsのSTPOWER SiC MOSFET」の画像（クリックして拡大）STMicroelectronicsのSTPOWER SiC MOSFETは、ワイドバンドギャップ材料の高度な効率性と信頼性を、電気/ハイブリッド車両用のインバータ、太陽光発電または風力発電、高効率ドライブ、電源、スマートグリッド機器など、エネルギーに配慮した幅広いアプリケーションにもたらします。これらのMOSFETは、650V～1700Vの拡張電圧範囲を備えており、優れたスイッチング性能と、面積あたりの性能指数が非常に低いオン状態抵抗RDS(ON)を兼ね備えています。ST SiC MOSFETは、これまで以上に効率的でコンパクトなシステムの設計を可能にします。STの1200V SiC MOSFETは、パワーエレクトロニクスシステムの熱設計を改善するために、+200°Cの優れた温度定格を示します。シリコンMOSFETと比較して、SiC MOSFETは、温度に対する変動を最小限に抑えながら、スイッチング損失を大幅に低減することも特長としています。

主な特長

  • 車載用グレード（AG）認定デバイス
  • 非常に高温の処理能力（最大TJ=+200°C）
  • 非常に低いスイッチング損失（温度に対する最小の変動）により、非常に高いスイッチング周波数での動作が可能
  • 温度に対する低いオン状態抵抗
  • シンプルな駆動
  • 非常に高速で堅牢な固有ボディダイオード

Gen 3

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AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT040HU65G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE470 - 即時$2,255.00詳細を表示
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SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650SCT055TO65G3SILICON CARBIDE POWER MOSFET 65084 - 即時$1,375.00詳細を表示
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Gen 2

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SICFET N-CH 650V 100A HIP247SCTW100N65G2AGSICFET N-CH 650V 100A HIP247471 - 即時$5,540.00詳細を表示
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TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247443 - 即時$4,444.00詳細を表示

Gen 1

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SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2SCT20N120HSICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-20 - 即時$1,487.00詳細を表示
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更新日： 2024-11-22
刊行： 2015-02-19

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