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HB2シリーズ650V IGBT
STMicroのトレンチゲートフィールドストップ、650V、40A、高速HB2シリーズIGBT、TO-247ロングリードパッケージ
STMicroelectronicsのIGBT 650 V HB2シリーズは、先進の独自技術によるトレンチゲートフィールドストップ構造を進化させたものです。HB 2シリーズの性能は、低電流値での優れたV CE (sat)動作とのおかげで、伝導と切り替えエネルギーの減少の面が最適化されています。保護目的でのみ使用されるダイオードは、IGBTと逆並列に同梱されています。その結果、広範囲の高速アプリケーションに対して効率が最大化することに特化した設計の製品が生まれました。
特長
- 最大接合温度：TJ = 175°C
- 低V CE（土） = 1.55V（典型的）@ IC = 40 A
- 共同パッケージ保護ダイオード
- 最小テール電流
- 狭いパラメータの分布
- 低熱抵抗
- 正のVCE(sat)温度係数
HB2 Series 650 V IGBT
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | STGWA40HP65FB2 | IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247 | 36 - 即時 | $805.00 | 詳細を表示 |
|  | SCTL35N65G2V | TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV | 5854 - 即時 | $2,548.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2019-05-09
日本