Name: SCTW70N120G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW70N120G2V-ND
Price: 6366.8 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.9V @ 1mA
メーカー STMicroelectronics	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 150 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +22V、-10V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3540 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 547W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～200°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 91A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ HiP247™
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 30ミリオーム @ 50A、18V	ベース品番 SCTW70

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単価（消費税抜き）:	¥5,788.00000
単価（消費税込み）:	¥6,366.80000

SCTW70N120G2V