Name: SCTWA60N120G2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA60N120G2-4-ND
Price: 3121.8 JPY
Availability: InStock

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SCTWA60N120G2-4
DigiKey製品番号	497-SCTWA60N120G2-4-ND
メーカー	STMicroelectronics
メーカー製品番号	SCTWA60N120G2-4
商品概要	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1200 V 60A（Tc） 388W（Tc）スルーホール TO-247-4
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SCTWA60N120G2-4 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	STMicroelectronics
シリーズ	-
梱包形態	チューブ
部品状況	購入可能最終日あり
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	60A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	18V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	52ミリオーム @ 30A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	94 nC @ 18 V
Vgs（最大）	+22V、-10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1969 pF @ 800 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	388W（Tc）
動作温度	-55°C～200°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247-4
パッケージ/ケース	TO-247-4