SCT10N120 STMicroelectronics | シングルFET、MOSFET

SCT10N120 は生産中止品です。現在は生産されていません。

購入可能な代替品:

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 250µA
メーカー STMicroelectronics	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 22 nC @ 20 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +25V、-10V
部品状況生産中止品	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 290 pF @ 400 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 150W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～200°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 12A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ HiP247™
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 690ミリオーム @ 6A、20V	ベース品番 SCT10

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環境および輸出に関する分類

SCT10N120

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IXFH15N100P	IXYS	845	238-IXFH15N100P-ND	¥2,486.00000	類似
IXFH18N100Q3	IXYS	536	IXFH18N100Q3-ND	¥4,178.00000	類似
MSC360SMA120B	Microchip Technology	152	150-MSC360SMA120B-ND	¥1,044.00000	類似