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全SiCハーフブリッジパワーモジュール
ROHMのSiCパワーモジュールは、業界標準パッケージにSiC MOSFETおよびSBDを統合
ROHM Semiconductorの全SiCハーフブリッジパワーモジュールは、標準の業界パッケージにSiC MOSFETおよびSBDを統合します。 独自の電界緩和構造は、新しいスクリーニング方法とともに、フルSiCパワーモジュールのための信頼性を維持し、初の量産システム開発を可能にするために利用されています。
- 低遊離インダクタンス
- 高速回復特性
- 低スイッチング損失
- IGBTと比べてディレーティングは不要
- 再生可能エネルギー/エネルギー保管
- EV/HEVインバータおよび充電器
- 誘導加熱/溶接
- HVDC
Full-SiC Half-Bridge Power Modules
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 料金 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | BSM120D12P2C005 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 2 - 即時 | $65,014.00 | 詳細を表示 |
|  | BSM180D12P3C007 | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 13 - 即時 | $92,183.00 | 詳細を表示 |
|  | BSM300D12P2E001 | MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE | 16 - 即時 | $128,342.00 | 詳細を表示 |
|  | BSM250D17P2E004 | MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE | 8 - 即時 | $175,756.00 | 詳細を表示 |
| | BSM080D12P2C008 | MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE | 61 - 即時 | $52,165.00 | 詳細を表示 |
| | BSM180D12P2C101 | MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE | 1 - 即時 | $77,829.00 | 詳細を表示 |
|  | BSM180C12P2E202 | SICFET N-CH 1200V 204A MODULE | 0 - 即時 | $107,993.75 | 詳細を表示 |
|  | BSM400C12P3G202 | SICFET N-CH 1200V 400A MODULE | 4 - 即時 | $138,313.00 | 詳細を表示 |
| | BSM600C12P3G201 | SICFET N-CH 1200V 600A MODULE | 0 - 即時 | $196,392.50 | 詳細を表示 |
更新日： 2019-04-23
刊行： 2014-05-09
日本