全SiCハーフブリッジパワーモジュール

ROHMのSiCパワーモジュールは、業界標準パッケージにSiC MOSFETおよびSBDを統合

ROHM Semiconductor の全 SiC ハーフブリッジ パワー モジュールの画像ROHM Semiconductorの全SiCハーフブリッジパワーモジュールは、標準の業界パッケージにSiC MOSFETおよびSBDを統合します。 独自の電界緩和構造は、新しいスクリーニング方法とともに、フルSiCパワーモジュールのための信頼性を維持し、初の量産システム開発を可能にするために利用されています。

特長
  • 低遊離インダクタンス
  • 高速回復特性
  • 低スイッチング損失
  • IGBTと比べてディレーティングは不要
応用
  • 再生可能エネルギー/エネルギー保管
  • EV/HEVインバータおよび充電器
  • 誘導加熱/溶接
  • HVDC

Full-SiC Half-Bridge Power Modules

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE2 - 即時$59,071.00詳細を表示
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE13 - 即時$90,470.00詳細を表示
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE8 - 即時$114,111.00詳細を表示
MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULEBSM250D17P2E004MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE7 - 即時$158,049.00詳細を表示
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE3 - 即時$51,196.00詳細を表示
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE1 - 即時$71,764.00詳細を表示
SICFET N-CH 1200V 204A MODULEBSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE0 - 即時$98,247.00詳細を表示
SICFET N-CH 1200V 400A MODULEBSM400C12P3G202SICFET N-CH 1200V 400A MODULE4 - 即時$153,450.00詳細を表示
SICFET N-CH 1200V 600A MODULEBSM600C12P3G201SICFET N-CH 1200V 600A MODULE0 - 即時$192,742.25詳細を表示
更新日: 2019-04-23
刊行: 2014-05-09