MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 180A(Tc) 880W 面実装 モジュール
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MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 180A(Tc) 880W 面実装 モジュール
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

DigiKey製品番号
BSM180D12P3C007-ND
メーカー
メーカー製品番号
BSM180D12P3C007
商品概要
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
メーカーの標準リードタイム
27 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 180A(Tc) 880W 面実装 モジュール
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
BSM180D12P3C007 モデル
製品属性
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カテゴリ
Id印加時のVgs(th)(最大)
5.6V @ 50mA
メーカー
Rohm Semiconductor
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
900pF @ 10V
梱包形態
バルク
電力 - 最大
880W
部品状況
アクティブ
動作温度
175°C(TJ)
技術
シリコンカーバイド(SiC)
取り付けタイプ
面実装
構成
2 Nチャンネル(デュアル)
パッケージ/ケース
モジュール
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200V(1.2kV)
サプライヤデバイスパッケージ
モジュール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
180A(Tc)
ベース品番
環境および輸出に関する分類
製品に関する質問と回答
関連リソース
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バルク
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単価(消費税抜き):¥93,606.00000
単価(消費税込み):¥102,966.60000