SIC Power Module
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
SIC Power Module
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

DigiKey製品番号
BSM180D12P3C007-ND
メーカー
Rohm Semiconductor
メーカー製品番号
BSM180D12P3C007
商品概要
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
メーカーの標準リードタイム
22 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 180A（Tc） 880W 面実装 モジュール
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
BSM180D12P3C007 モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Rohm Semiconductor
シリーズ
-
梱包形態
バルク
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド（SiC）
構成
2 Nチャンネル（デュアル）
FET機能
-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
180A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
-
Id印加時のVgs（th）（最大）
5.6V @ 50mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
-
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
900pF @ 10V
電力 - 最大
880W
動作温度
175°C（TJ）
取り付けタイプ
面実装
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
モジュール
ベース品番
BSM180
製品に関する質問と回答

エンジニアによる質問をチェックしたり、質問の投稿や知識を共有したりして、DigiKeyのエンジニアリングコミュニティを活用してみましょう

在庫：13個
追加の入荷予定数量を確認
数量
価格はすべてJPYです
バルク
数量 単価 請求価格
1¥90,470.00000¥90,470
単価（消費税抜き）:¥90,470.00000
単価（消費税込み）:¥99,517.00000