BSM180C12P2E202
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
BSM180C12P2E202
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM600C12P3G201

DigiKey製品番号
BSM600C12P3G201-ND
メーカー
メーカー製品番号
BSM600C12P3G201
商品概要
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 1200 V 600A(Tc) 2460W(Tc) シャーシマウント モジュール
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
BSM600C12P3G201 モデル
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
シリーズ
-
梱包形態
トレイ
部品状況
新規設計向けに不適合
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
-
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
-
Id印加時のVgs(th)(最大)
5.6V @ 182mA
Vgs(最大)
+22V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
28000 pF @ 10 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
2460W(Tc)
動作温度
175°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
シャーシマウント
サプライヤデバイスパッケージ
モジュール
パッケージ/ケース
ベース品番
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受注発注品
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価格はすべてJPYです
トレイ
数量 単価 請求価格
4¥192,742.25000¥770,969
メーカーの標準パッケージ
注:製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価(消費税抜き):¥192,742.25000
単価(消費税込み):¥212,016.47500