BSM120D12P2C005
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タシートを参照ください。
BSM120D12P2C005
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM120D12P2C005

DigiKey製品番号
BSM120D12P2C005-ND
メーカー
Rohm Semiconductor
メーカー製品番号
BSM120D12P2C005
商品概要
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
メーカーの標準リードタイム
22 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 120A（Tc） 780W モジュール
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
BSM120D12P2C005 モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Rohm Semiconductor
シリーズ
-
梱包形態
バルク
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド（SiC）
構成
Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
FET機能
-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
120A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
-
Id印加時のVgs（th）（最大）
2.7V @ 22mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
-
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
14000pF @ 10V
電力 - 最大
780W
動作温度
-40°C～150°C（TJ）
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
モジュール
ベース品番
BSM120
製品に関する質問と回答

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