BSM120D12P2C005
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
BSM120D12P2C005
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM080D12P2C008

DigiKey製品番号
BSM080D12P2C008-ND
メーカー
メーカー製品番号
BSM080D12P2C008
商品概要
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE
メーカーの標準リードタイム
22 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 80A(Tc) 600W シャーシマウント モジュール
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
BSM080D12P2C008 モデル
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Rohm Semiconductor
シリーズ
-
梱包形態
トレイ
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド(SiC)
構成
2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能
-
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200V(1.2kV)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
80A(Tc)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
-
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 13.2mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
-
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
800pF @ 10V
電力 - 最大
600W
動作温度
175°C(TJ)
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
モジュール
ベース品番
製品に関する質問と回答

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