設定
迅速な配送
送料は無料
Incoterms
お支払い方法
マーケットプレイス製品
第4世代SiC（シリコンカーバイド）MOSFET
ROHMのSCT MOSFETは、優れたブレークダウン電圧を特長とし、高い電圧に耐えられるため、システムの小型化が可能
ROHMの第4世代SCT4xxxシリーズ MOSFETは、要求の厳しいアプリケーションで比類のない効率と性能を発揮するよう設計された、画期的なシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスです。SiCテクノロジー固有の利点を活用したこれらのMOSFETは、従来のシリコンMOSFETと比べて大きな利点を提供します。優れたブレークダウン電圧を特長とし、より高い電圧に耐えられるため、コンパクトなシステム設計を可能にします。超低オン抵抗（RDS(ON)）により導通損失を低減し、エネルギー効率を向上させるとともに、高速スイッチングによりスイッチング周波数を高速化し、スイッチング損失を最小限に抑えます。これらのMOSFETは優れた熱性能を備えており、高温で動作するため、システムの信頼性が向上します。
特長
- ブレークダウン電圧範囲：650V～1700V
- ドレイン電流範囲：3.7A～70A
- 低RDS(ON)
- 高速スイッチング
- 優れた熱伝導性
- TO-247パッケージ
- RoHS対応
応用
- スイッチモード電源
- ソーラインバータ
- 無停電電源（UPS）
- 電気自動車（EV）用充電器
- インダクションヒーティング機器
- モータドライブ
- 電車
- 風力パワーコンバータ
- データセンター電源
- 産業用オートメーション機器
- 溶接装置
- 充電器
- 高性能オーディオアンプ
- 航空機の電源システム
刊行： 2024-03-19
日本