SiC（シリコンカーバイド）CoolSiC™ MOSFETおよびダイオード

InfineonのCoolSiCショットキーダイオードは、比較的高いオン状態抵抗とリーク電流を提供します。SiC材料では、ショットキーダイオードが大幅に高いブレークダウン電圧に達する可能性があります。ポートフォリオは、CoolSiCショットキーダイオード、CoolSiCハイブリッドモデル、CoolSiC MOSFETモジュールとディスクリート、およびSiC（シリコンカーバイド）デバイスを駆動するためのEiceDRIVER™ゲートドライバICで構成されています。

InfineonのSiCショットキー製品ポートフォリオは、600Vおよび650V〜1200Vのショットキーダイオードに対応しています。高速シリコンベースのスイッチとCoolSiCショットキーダイオードの組み合わせは、よくハイブリッドソリューションと呼ばれています。近年、Infineonは数百万のハイブリッドモジュールを製造し、ソーラーやUPSなどのさまざまな顧客製品にインストールされています。CoolSiC MOSFETは、ベンチマークを設定する最先端のトレンチコンセプトに基づいて構築されており、アプリケーションでの低損失と信頼性の高い動作の両方を実現します。