
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
IMW65R027M1HXKSA1 | |
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DigiKey製品番号 | 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | IMW65R027M1HXKSA1 |
商品概要 | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
メーカーの標準リードタイム | 23 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 47A(Tc) 189W(Tc) スルーホール PG-TO247-3-41 |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | IMW65R027M1HXKSA1 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 650 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 18V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 34ミリオーム @ 38.3A、18V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 5.7V @ 11mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 62 nC @ 18 V | |
Vgs(最大) | +23V、-5V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 2131 pF @ 400 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 189W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | スルーホール | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3-41 | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥2,045.00000 | ¥2,045 |
| 30 | ¥1,238.36667 | ¥37,151 |
| 120 | ¥1,061.59167 | ¥127,391 |
| 510 | ¥1,054.40000 | ¥537,744 |
| 単価(消費税抜き): | ¥2,045.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥2,249.50000 |


