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なります。正確な仕様は、デー
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IMW65R027M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | IMW65R027M1HXKSA1 |
商品概要 | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 47A（Tc） 189W（Tc） スルーホール PG-TO247-3-41 |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | IMW65R027M1HXKSA1 モデル |
製品属性
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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 5.7V @ 11mA |
メーカー | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 62 nC @ 18 V |
シリーズ | Vgs（最大） +23V、-5V |
梱包形態 チューブ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2131 pF @ 400 V |
部品状況 新規設計向けに不適合 | 電力散逸（最大） 189W（Tc） |
FETタイプ | 動作温度 -55°C～150°C（TJ） |
技術 | 取り付けタイプ スルーホール |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V | サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3-41 |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | パッケージ/ケース |
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V | ベース品番 |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 34ミリオーム @ 38.3A、18V |
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関連リソース
代替品リスト（3）
| 品番 | メーカー | 在庫数量 | DigiKey製品番号 | 単価 | 代替品のタイプ |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 191 | 691-MSC015SMA070B-ND | ¥2,971.00000 | 類似 |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | ¥2,581.00000 | 類似 |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | ¥2,037.00000 | 類似 |
在庫：480個
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価格はすべてJPYです
チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥2,810.00000 | ¥2,810 |
| 30 | ¥1,706.13333 | ¥51,184 |
| 120 | ¥1,464.25000 | ¥175,710 |
| 510 | ¥1,287.18824 | ¥656,466 |
| 1,020 | ¥1,222.64902 | ¥1,247,102 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥2,810.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥3,091.00000 |
