Name: FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF08MR12W1MA1B11ABPSA1-ND
Price: 23399.2 JPY
Availability: OutOfStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
DigiKey製品番号	448-FF08MR12W1MA1B11ABPSA1-ND
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
商品概要	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
メーカーの標準リードタイム	26 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 150A（Tj）シャーシマウント AG-EASY1BM-2
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolSiC™
梱包形態	トレイ
部品状況	アクティブ
技術	シリコンカーバイド（SiC）
構成	2 Nチャンネル（デュアル）
FET機能	-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	150A（Tj）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	9.8ミリオーム @ 150A、15V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5.55V @ 90mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	450nC @ 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	16000pF @ 600V
電力 - 最大	-
動作温度	-40°C～150°C（TJ）
取り付けタイプ	シャーシマウント
パッケージ/ケース	モジュール
サプライヤデバイスパッケージ	AG-EASY1BM-2
ベース品番	FF08MR12