ROHM Semiconductor - ロームセミコンダクタ

SiCパワーMOSFET

ROHMのSiC MOSFETは低オン抵抗と低スイッチング損失が特長

ROHMのSiCパワーMOSFETの画像ROHMの炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、さまざまな定格電流およびパッケージで入手可能です。これらはさまざまなオン抵抗と650V、1,200V、または1,700Vの電圧（VDSS）で供給されます。IGBTとは異なり、ターンオフ時のテール電流がないため、動作が速くなり、スイッチング損失が減少します。また、シリコンデバイスとは異なり、オン抵抗は高温でも比較的一定のままであるため、伝導損失が最小限に抑えられます。最大耐短絡時間を備えた第2世代のプレーナと、入力容量を抑えた第3世代のトレンチ、およびより低いゲート電荷モデルの両方が提供されています。最大1,700Vまでのベアダイも入手可能です。

特長
  • 低損失の高速スイッチング
  • 最大接合温度：+175°C
  • 定格650V、1,200V、または1,700Vのパッケージデバイス
  • 17mΩ〜1,150mΩのオン抵抗
  • 利用できるスパイスモデルおよび熱モデル
  • より短い耐短絡時間を持つ第2世代のプレーナ技術
  • ボディーダイオードの使用に制限なし
  • 低入力容量の第3世代トレンチ技術（CISS）と低いゲート電荷（QG）
  • DCブロッキング電圧：650V、1,200V、1,700V
  • 最小スイッチング損失
  • 動作温度範囲：-40℃～+175℃
用途
  • 誘導加熱用インバータ
  • モータ駆動インバータ
  • 双方向コンバータ
  • ソーラーインバータ
  • パワーコンディショナ

3rd Generation TO-247-4L Package with Kelvin Source Connection

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SiC Power MOSFETs Single

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SiC Power MOSFETs Arrays

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更新日： 2019-11-01
刊行： 2019-04-30

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