NTH4L EliteSiC NチャンネルMOSFET

onsemiのNTH4L SiCシステムのパワーが、革新的な省スペース設計の扉を開く

onsemiのNTH4L EliteSiC NチャンネルMOSFETの画像onsemiのNTH4L EliteSiC MOSFETは、優れた性能と効率を提供します。このシリーズは、優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。低いオン抵抗とコンパクトなチップサイズは、電力浪費を最小限に抑え、ユーザーのシステム効率を高めます。SiC(炭化ケイ素)MOSFETのコンパクトなサイズにより、電力を維持しながらスペースを最大限に活用できます。また、EMIを低減し、よりスムーズな動作を実現し、ノイズの多い干渉を防ぎます。

特長
  • 超低ゲート電荷
  • 低静電容量による高速スイッチング
  • ボディダイオードの逆回復電流ゼロ
  • ケルビンソース構成
  • 100%無クランプ誘導スイッチング(UIL)テスト済み
  • RoHS対応
応用
  • 電気通信
  • クラウドシステム
  • 産業用機器

NTH4L EliteSiC N-Channel MOSFETs

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SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL1543 - 即時
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SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SENTH4L014N120M3PSIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE475 - 即時
2700 - 工場在庫品
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SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L045N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL188 - 即時
10350 - 工場在庫品
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SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4NTH4L040N120SC1SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4582 - 即時
6750 - 工場在庫品
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SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1NTH4L025N065SC1SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1167 - 即時
12600 - 工場在庫品
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SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4NTH4L080N120SC1SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4350 - 即時$1,961.00詳細を表示
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L060N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL478 - 即時
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SICFET N-CH 1200V 102A TO247NTH4L020N120SC1SICFET N-CH 1200V 102A TO247570 - 即時
25200 - 工場在庫品
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SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247NTH4L160N120SC1SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247498 - 即時
3600 - 工場在庫品
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SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5NTH4L075N065SC1SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5414 - 即時
450 - 工場在庫品
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SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET  ELNTH4L070N120M3SSILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL293 - 即時
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SIC MOS TO247-4L 650VNTH4L060N065SC1SIC MOS TO247-4L 650V479 - 即時
2250 - 工場在庫品
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SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELINTH4L040N120M3SSILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI1514 - 即時
184950 - 工場在庫品
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SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET  ELNTH4L030N120M3SSILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL638 - 即時
344250 - 工場在庫品
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SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SERNTH4L028N170M1SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER723 - 即時
9900 - 工場在庫品
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刊行: 2024-02-09