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NTH4L EliteSiC NチャンネルMOSFET
onsemiのNTH4L SiCシステムのパワーが、革新的な省スペース設計の扉を開く
onsemiのNTH4L EliteSiC MOSFETは、優れた性能と効率を提供します。このシリーズは、優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。低いオン抵抗とコンパクトなチップサイズは、電力浪費を最小限に抑え、ユーザーのシステム効率を高めます。SiC（炭化ケイ素）MOSFETのコンパクトなサイズにより、電力を維持しながらスペースを最大限に活用できます。また、EMIを低減し、よりスムーズな動作を実現し、ノイズの多い干渉を防ぎます。
特長
- 超低ゲート電荷
- 低静電容量による高速スイッチング
- ボディダイオードの逆回復電流ゼロ
- ケルビンソース構成
- 100%無クランプ誘導スイッチング（UIL）テスト済み
- RoHS対応
応用
- 電気通信
- クラウドシステム
- 産業用機器
NTH4L EliteSiC N-Channel MOSFETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 料金 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NTH4L015N065SC1 | SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL | 1380 - 即時 3600 - 工場在庫品 | $5,002.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L014N120M3P | SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE | 423 - 即時 | $5,228.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L045N065SC1 | SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL | 187 - 即時 | $2,475.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L040N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4 | 432 - 即時 6750 - 工場在庫品 | $3,939.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L025N065SC1 | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1 | 167 - 即時 | $3,688.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4 | 337 - 即時 | $2,172.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L060N090SC1 | SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL | 478 - 即時 450 - 工場在庫品 | $2,478.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L020N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 102A TO247 | 416 - 即時 1800 - 工場在庫品 | $6,448.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L160N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247 | 191 - 即時 3600 - 工場在庫品 | $1,725.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L075N065SC1 | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5 | 414 - 即時 450 - 工場在庫品 | $1,893.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L070N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL | 149 - 即時 | $1,650.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L060N065SC1 | SIC MOS TO247-4L 650V | 477 - 即時 | $2,132.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L040N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI | 2095 - 即時 | $2,689.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L030N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL | 789 - 即時 | $2,363.00 | 詳細を表示 |
| | NTH4L028N170M1 | SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER | 470 - 即時 3600 - 工場在庫品 | $6,581.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2024-02-09
