Name: NTH4L020N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L020N120SC1-ND
Price: 7092.8 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.3V @ 20mA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 220 nC @ 20 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +25V、-15V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2943 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 510W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 102A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4L
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V	パッケージ/ケース TO-247-4
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 28ミリオーム @ 60A、20V	ベース品番 NTH4L020