NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S SiC MOSFET
onsemiのNTH4L040N120M3SおよびNTHL022N120M3S SiC MOSFETは、高速スイッチングアプリケーションに好適
onsemiのSiC(シリコンカーバイド)MOSFETファミリ、1200V M3Sプレーナ型EliteSiCおよびSiC MOSFETは、高速スイッチングアプリケーション向けに最適化されています。プレーナ技術により、負ゲート電圧のドライブで確実に動作し、ゲートのターンオフ時に発生するスパイクに対処します。このEliteSiCおよびSiCファミリは、18Vゲート駆動で最適な性能を発揮しますが、15Vゲート駆動でも十分に機能します。
- NTH4L040N120M3S
- 標準RDS(on)=40m@VGS=18V
- 超低ゲート電荷(QG(tot)=75nC)
- 低静電容量で高速スイッチング(Coss=80pF)
- 100%アバランシェテスト済み
- ハロゲン化物フリー、RoHS対応(適用除外7(a))、鉛フリーの2LI
- NTHL022N120M3S
- 標準RDS(on)=22m@VGS=18V
- 超低ゲート電荷(QG(tot)=137nC)
- 低い実効出力容量(Coss=146pF)
- 100%アバランシェテスト済み
- ハロゲン化物フリー、RoHS対応(適用除外7(a))、鉛フリーの2LI
- ソーラインバータ
- 電気自動車充電ステーション
- 無停電電源(UPS)
- エネルギー蓄積システム
- スイッチモード電源(SMPS)
NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S SiC MOSFETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | NTH4L040N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI | 1517 - 即時 184950 - 工場在庫品 | $2,430.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | NTHL022N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI | 95 - 即時 18000 - 工場在庫品 | $3,098.00 | 詳細を表示 |





