NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S SiC MOSFET

onsemiのNTH4L040N120M3SおよびNTHL022N120M3S SiC MOSFETは、高速スイッチングアプリケーションに好適

「onsemiのNTH4L040N120M3SおよびNTHL022N120M3S SiC MOSFET」の画像onsemiのSiC(シリコンカーバイド)MOSFETファミリ、1200V M3Sプレーナ型EliteSiCおよびSiC MOSFETは、高速スイッチングアプリケーション向けに最適化されています。プレーナ技術により、負ゲート電圧のドライブで確実に動作し、ゲートのターンオフ時に発生するスパイクに対処します。このEliteSiCおよびSiCファミリは、18Vゲート駆動で最適な性能を発揮しますが、15Vゲート駆動でも十分に機能します。

特長
  • NTH4L040N120M3S
    • 標準RDS(on)=40m@VGS=18V
    • 超低ゲート電荷(QG(tot)=75nC)
    • 低静電容量で高速スイッチング(Coss=80pF)
    • 100%アバランシェテスト済み
    • ハロゲン化物フリー、RoHS対応(適用除外7(a))、鉛フリーの2LI
  • NTHL022N120M3S
    • 標準RDS(on)=22m@VGS=18V
    • 超低ゲート電荷(QG(tot)=137nC)
    • 低い実効出力容量(Coss=146pF)
    • 100%アバランシェテスト済み
    • ハロゲン化物フリー、RoHS対応(適用除外7(a))、鉛フリーの2LI
応用
  • ソーラインバータ
  • 電気自動車充電ステーション
  • 無停電電源(UPS)
  • エネルギー蓄積システム
  • スイッチモード電源(SMPS)

NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S SiC MOSFETs

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SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELINTH4L040N120M3SSILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI1517 - 即時
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SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELINTHL022N120M3SSILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI95 - 即時
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刊行: 2023-10-13