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NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S SiC MOSFET
onsemiのNTH4L040N120M3SおよびNTHL022N120M3S SiC MOSFETは、高速スイッチングアプリケーションに好適
onsemiのSiC（シリコンカーバイド）MOSFETファミリ、1200V M3Sプレーナ型EliteSiCおよびSiC MOSFETは、高速スイッチングアプリケーション向けに最適化されています。プレーナ技術により、負ゲート電圧のドライブで確実に動作し、ゲートのターンオフ時に発生するスパイクに対処します。このEliteSiCおよびSiCファミリは、18Vゲート駆動で最適な性能を発揮しますが、15Vゲート駆動でも十分に機能します。
特長
- NTH4L040N120M3S
- 標準RDS(on)=40m@VGS=18V
- 超低ゲート電荷（QG(tot)=75nC）
- 低静電容量で高速スイッチング（Coss=80pF）
- 100%アバランシェテスト済み
- ハロゲン化物フリー、RoHS対応（適用除外7（a））、鉛フリーの2LI
- NTHL022N120M3S
- 標準RDS(on)=22m@VGS=18V
- 超低ゲート電荷（QG(tot)=137nC）
- 低い実効出力容量（Coss=146pF）
- 100%アバランシェテスト済み
- ハロゲン化物フリー、RoHS対応（適用除外7（a））、鉛フリーの2LI
応用
- ソーラインバータ
- 電気自動車充電ステーション
- 無停電電源（UPS）
- エネルギー蓄積システム
- スイッチモード電源（SMPS）
NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S SiC MOSFETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NTH4L040N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI | 2095 - 即時 | $2,689.00 | 詳細を表示 |
|  | NTHL022N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI | 451 - 即時 | $3,430.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2023-10-13
