Name: NTH4L030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L030N120M3S-ND
Price: 2348.5 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

NTH4L030N120M3S
DigiKey製品番号	5556-NTH4L030N120M3S-ND
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	NTH4L030N120M3S
商品概要	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1200 V 73A（Tc） 313W（Tc）スルーホール TO-247-4L
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	onsemi
シリーズ	-
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	73A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	18V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	39ミリオーム @ 30A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4.4V @ 15mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	107 nC @ 18 V
Vgs（最大）	+22V、-10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2430 pF @ 800 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	313W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247-4L
パッケージ/ケース	TO-247-4