Name: NTH4L040N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L040N120M3S-ND
Price: 3014 JPY
Availability: InStock

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NTH4L040N120M3S
DigiKey製品番号	5556-NTH4L040N120M3S-ND
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	NTH4L040N120M3S
商品概要	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
メーカーの標準リードタイム	19 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1200 V 54A（Tc） 231W（Tc）スルーホール TO-247-4L
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.4V @ 10mA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 75 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +22V、-10V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1700 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 231W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 54A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4L
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	パッケージ/ケース TO-247-4
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 54ミリオーム @ 20A、18V