Name: NTH4L014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L014N120M3P-ND
Price: 5750.8 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.63V @ 37mA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 329 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +22V、-10V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6230 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 686W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 127A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4L
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V、18V	パッケージ/ケース TO-247-4
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 20ミリオーム @ 74A、18V	ベース品番 NTH4L014

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代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
DMWSH120H18HM4	Diodes Incorporated	20	31-DMWSH120H18HM4-ND	¥2,905.54000	類似
DMWSH120H18HM4Q	Diodes Incorporated	30	31-DMWSH120H18HM4Q-ND	¥3,583.93000	類似
DMWSH120H23SM4	Diodes Incorporated	30	31-DMWSH120H23SM4-ND	¥2,805.83000	類似
DMWSH120H28SM4	Diodes Incorporated	25	31-DMWSH120H28SM4-ND	¥2,805.83000	類似
IMYR140R008M2HXLSA1	Infineon Technologies	239	448-IMYR140R008M2HXLSA1-ND	¥4,434.72000	類似