Microchip Technology - マイクロチップテクノロジー

mSiC™ディスクリートMOSFETシリーズ

Microchipの高電圧SiC（シリコンカーバイド）MOSFETは、堅牢で効率的な電力変換に最適

「MicrochipのmSiC™ ディスクリートMOSFETシリーズ」の画像MicrochipのmSiC™ MOSFETシリーズは、高効率、小型サイズ、堅牢な信頼性を必要とする中高圧電源システム向けに設計されています。これらのデバイスは、シリコンカーバイド技術を活用して伝導損失とスイッチング損失を最小限に抑え、シリコンMOSFETやIGBTに比べてスイッチング周波数を高くし、熱管理の複雑さを軽減します。

このシリーズは700Vから3,300Vの定格電圧に対応し、接合部温度は+175℃までサポートします。すべてのファミリは、アバランシェ耐量、短絡耐久能力、安定したボディダイオード性能などのコア特性を共有しています。しかし、MA、MB、MCの各ファミリは、コスト重視の産業用システムから高性能の車載用アプリケーションや再生可能エネルギーアプリケーションまで、異なる設計上の優先順位に向けて、個別の最適化を提供しています。

MAシリーズの特長
  • 超高電圧アプリケーション（最大3,300V）がターゲット
  • 高ゲート駆動電圧（18V～20V）でRDS(ON)を最小化するように最適化
  • グリッドインフラ、トラクションドライブ、航空宇宙システムに最適
MBシリーズの特長
  • 産業用および車載用を幅広くカバー（通常1,200V～1,700V）
  • 推奨ゲートドライブ：+18V（オン）、-5V（オフ）
  • モータドライブ、EV充電器、再生可能インバータの効率とコストのバランス
MCシリーズの特長
  • MBと同様の電圧範囲だが、スイッチング安定性向上のためゲート抵抗を内蔵
  • 高周波設計向けに外付け部品点数を削減し、レイアウトを簡素化
  • 小型のコンバータや低EMIを必要とするシステムに最適
特長
  • 温度範囲全体にわたって低RDS(ON)で高効率を実現
  • フォールトトレランスのためのアバランシェ耐量と短絡能力
  • 高周波動作のための低ゲート電荷による高速スイッチング
  • 電圧範囲：700VAC～3,300VAC
  • 最大+175°Cの高温動作
応用
  • 産業用モータドライブおよびサーボシステム
  • 再生可能エネルギー用インバータ（太陽光発電および風力発電）
  • EV充電器とハイブリッドパワートレイン
  • スマートグリッドおよび送配電設備
  • 高圧電源と溶接システム

MA Series MOSFETs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量料金詳細を表示
新製品
MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-24		MSC180SMA120B4NMOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-24150 - 即時$1,027.00詳細を表示
新製品
MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-		MSC090SMA070SDT/RMMOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-200 - 即時$1,235.00詳細を表示
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-MSC035SMA170B4MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-371 - 即時$6,947.00詳細を表示
SICFET N-CH 1.2KV 77A SOT227MSC025SMA120JSICFET N-CH 1.2KV 77A SOT2271550 - 即時$9,502.00詳細を表示
MOSFET N-CH 700V TO247MSC035SMA070BMOSFET N-CH 700V TO247235 - 即時$1,752.00詳細を表示
SICFET N-CH 1200V 53A SOT227MSC040SMA120JSICFET N-CH 1200V 53A SOT227603 - 即時$6,770.00詳細を表示
MOSFET 1200V 25A TO-247MSC180SMA120BMOSFET 1200V 25A TO-247134 - 即時$1,444.00詳細を表示
MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26MSC180SMA120SMOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26174 - 即時$1,599.00詳細を表示
SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4MSC040SMA120B4SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4124 - 即時$2,903.00詳細を表示
SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3MSC025SMA120BSICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3144 - 即時$6,669.00詳細を表示
MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268MSC040SMA120S/TRMOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268385 - 即時$4,334.00詳細を表示
SICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAKMSC025SMA120SSICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAK127 - 即時$6,824.00詳細を表示
MOSFET SIC 700 V 90 MOHM PSMTMSC090SMA070SCT/RMOSFET SIC 700 V 90 MOHM PSMT1292 - 即時$740.00詳細を表示
MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-MSC090SMA070SDT/RMOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-775 - 即時$740.00詳細を表示
MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26MSC180SMA120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26773 - 即時$1,133.00詳細を表示
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM PSMTMSC080SMA120SCT/RMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM PSMT1210 - 即時$1,888.00詳細を表示
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263MSC080SMA120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263797 - 即時$1,888.00詳細を表示
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3MSC080SMA120BSICFET N-CH 1200V 37A TO247-3128 - 即時$2,127.00詳細を表示
MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247MSC035SMA170BMOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-24743 - 即時$6,742.00詳細を表示
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268MSC035SMA170SMOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-26834 - 即時$6,897.00詳細を表示

MB Series MOSFETs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量料金詳細を表示
新製品
MOSFET SIC 1200 V 60 MOHM TO-247		MSC060SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 60 MOHM TO-24782 - 即時$1,215.00詳細を表示
新製品
MOSFET SIC 1200 V 30 MOHM TO-247		MSC030SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 30 MOHM TO-247101 - 即時$1,939.00詳細を表示
新製品
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263		MSC080SMB120SDT/RMMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-2630 - 即時$816.41詳細を表示
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-247MSC080SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-24791 - 即時$1,044.00詳細を表示
MOSFET SIC 1200 V 45 MOHM TO-247MSC045SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 45 MOHM TO-247120 - 即時$1,476.00詳細を表示
MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-247MSC040SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-24795 - 即時$1,587.00詳細を表示
MOSFET SIC 1200 V 25 MOHM TO-247MSC025SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 25 MOHM TO-247118 - 即時$2,258.00詳細を表示
MOSFET SIC 1200 V 20 MOHM TO-247MSC020SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 20 MOHM TO-24780 - 即時$2,729.00詳細を表示
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM, 7LD TMSC080SMB120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM, 7LD T0 - 即時$816.40詳細を表示
MOSFET SIC 1200 V 20 MOHM, 7LD TMSC020SMB120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 20 MOHM, 7LD T0 - 即時$2,372.43詳細を表示

MC Series MOSFETs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量料金詳細を表示
新製品
MOSFET SIC 1200 V 31 MOHM TO-247		MSC031SMC120B4NMOSFET SIC 1200 V 31 MOHM TO-24760 - 即時$2,376.00詳細を表示
刊行： 2025-12-03

Related Product Highlight

高電圧補助電子ヒューズリファレンス設計 Microchipの補助電子ヒューズ技術は信頼性と開発の加速によりリスクを軽減します。
SiC（シリコンカーバイド）半導体ディスクリート製品 Microchip TechnologyのSiC（シリコンカーバイド）半導体ディスクリート製品は、システム効率の向上、フォームファクタの小型化、動作温度の向上を実現します。

Related Articles and Blogs

SiCパワー半導体を使用して高性能スイッチングコンバータの効率を向上 SiCパワー半導体を使用して効率を向上
輸送の世界を変えるワイドバンドギャップ半導体 電気自動車やハイブリッド車、よりクリーンな大量輸送のためのソリューションなど、交通分野全体が根本的な変革期を迎えています。
航空宇宙・衛星用途に使用するワイドバンドギャップ半導体 ワイドバンドギャップ半導体は、パワー変換において、電力密度や効率の向上、システムの小型化・軽量化など、いくつかの利点をもたらします。
取引条件 プライバシー保護について cookieの設定
現地サポート：〒540-0036 大阪府大阪市中央区船越町1-6-6 著作権 © 1995-2026, DigiKey. All Rights Reserved.
ECIA Member
This site is protected by VikingCloud's Trusted Commerce program
ECIA Member