Microchip Technology - マイクロチップテクノロジー

mSiC™ディスクリートMOSFETシリーズ

Microchipの高電圧SiC（シリコンカーバイド）MOSFETは、堅牢で効率的な電力変換に最適

「MicrochipのmSiC™ ディスクリートMOSFETシリーズ」の画像MicrochipのmSiC™ MOSFETシリーズは、高効率、小型サイズ、堅牢な信頼性を必要とする中高圧電源システム向けに設計されています。これらのデバイスは、シリコンカーバイド技術を活用して伝導損失とスイッチング損失を最小限に抑え、シリコンMOSFETやIGBTに比べてスイッチング周波数を高くし、熱管理の複雑さを軽減します。

このシリーズは700Vから3,300Vの定格電圧に対応し、接合部温度は+175℃までサポートします。すべてのファミリは、アバランシェ耐量、短絡耐久能力、安定したボディダイオード性能などのコア特性を共有しています。しかし、MA、MB、MCの各ファミリは、コスト重視の産業用システムから高性能の車載用アプリケーションや再生可能エネルギーアプリケーションまで、異なる設計上の優先順位に向けて、個別の最適化を提供しています。

MAシリーズの特長
  • 超高電圧アプリケーション（最大3,300V）がターゲット
  • 高ゲート駆動電圧（18V～20V）でRDS(ON)を最小化するように最適化
  • グリッドインフラ、トラクションドライブ、航空宇宙システムに最適
MBシリーズの特長
  • 産業用および車載用を幅広くカバー（通常1,200V～1,700V）
  • 推奨ゲートドライブ：+18V（オン）、-5V（オフ）
  • モータドライブ、EV充電器、再生可能インバータの効率とコストのバランス
MCシリーズの特長
  • MBと同様の電圧範囲だが、スイッチング安定性向上のためゲート抵抗を内蔵
  • 高周波設計向けに外付け部品点数を削減し、レイアウトを簡素化
  • 小型のコンバータや低EMIを必要とするシステムに最適
特長
  • 温度範囲全体にわたって低RDS(ON)で高効率を実現
  • フォールトトレランスのためのアバランシェ耐量と短絡能力
  • 高周波動作のための低ゲート電荷による高速スイッチング
  • 電圧範囲：700VAC～3,300VAC
  • 最大+175°Cの高温動作
応用
  • 産業用モータドライブおよびサーボシステム
  • 再生可能エネルギー用インバータ（太陽光発電および風力発電）
  • EV充電器とハイブリッドパワートレイン
  • スマートグリッドおよび送配電設備
  • 高圧電源と溶接システム

MA Series MOSFETs

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MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-24		MSC180SMA120B4NMOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-24150 - 即時$1,011.00詳細を表示
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MB Series MOSFETs

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刊行： 2025-12-03

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