Nチャンネル 1200 V 35A（Tc） 182W（Tc） 面実装 TO-263-7
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MSC080SMA120SDT/R

DigiKey製品番号
150-MSC080SMA120SDT/R-ND
メーカー
Microchip Technology
メーカー製品番号
MSC080SMA120SDT/R
商品概要
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
メーカーの標準リードタイム
4 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 1200 V 35A（Tc） 182W（Tc） 面実装 TO-263-7
データシート
 データシート
製品属性
型
商品概要
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カテゴリ
メーカー
Microchip Technology
シリーズ
MSiC™ MA
梱包形態
バルク
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
35A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
20V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
100ミリオーム @ 15A、20V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2.8V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
64 nC @ 20 V
Vgs（最大）
+23V、-10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
838 pF @ 1000 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
182W（Tc）
動作温度
-55°C～175°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
TO-263-7
パッケージ/ケース
TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
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単価（消費税込み）:¥2,044.90000