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高電圧補助電子ヒューズリファレンス設計
Microchipの補助電子ヒューズ技術高電圧ソリッドステートリレーは過電流保護機能を搭載
Microchipは、ハイブリッド電気自動車（HEV）および電気自動車（EV）アプリケーション向けの高電圧補助電子ヒューズ技術を提供しています。この技術実証機は、700Vと1200V SiC（シリコンカーバイド）mSiC™製品の利点を活用し、完全なソリューションを提供します。この設計はまた、DCソリッドステートサーキットブレーカなどの非車載用アプリケーションへの移行を支援する、時間電流特性（TCC）曲線を実装しています。
特長
- 設定可能な電流制限プロファイル
- 設定と診断のためのLIN通信インターフェース
- ハイサイドまたはローサイドのドライブ構成
- 短絡耐久時間：10µs
- 定格電流：30A
- 低電圧動作範囲：9V～16V
- スイッチング周波数：最大20kHz
- 高電圧動作範囲：200V～900V
- 動作温度範囲：-40°C～+85°C
- AEC認定部品のみを使用する車載用ハードウェア設計
- この高電圧補助電子フューズ設計の6つのバリエーションは、400Vおよび800Vのバス電圧と10A、20A、および30Aの連続電流定格をサポートします。
応用
- EV
- HEV
- DCスマートグリッド
- 産業用機器
- 充電スタンド
SiCFET
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MSC060SMA070B4 | TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4 | 45 - 即時 | $1,052.00 | 詳細を表示 |
| | MSC035SMA070B4 | TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4 | 0 - 即時 | $1,834.00 | 詳細を表示 |
| | MSC040SMA120B4 | SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4 | 128 - 即時 | $2,806.00 | 詳細を表示 |
| | MSC015SMA070B4 | TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4 | 64 - 即時 | $3,130.00 | 詳細を表示 |
| | MSC025SMA120B4 | TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247 | 21 - 即時 | $6,638.00 | 詳細を表示 |
| | MSC080SMA120B4 | SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4 | 23 - 即時 | $1,484.00 | 詳細を表示 |
| | MSC017SMA120B4 | MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247 | 30 - 即時 | $7,702.00 | 詳細を表示 |
E-Fuse Demonstration Application Boards
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | MSCDR-EFUSE-003 | 400V30A SIC E-FUSE DEMONSTRATOR | 2 - 即時 | $60,362.00 | 詳細を表示 |
| | MSCDR-EFUSE-001 | 400V10A SIC E-FUSE DEMONSTRATOR | 3 - 即時 | $60,362.00 | 詳細を表示 |
| | MSCDR-EFUSE-002 | 400V20A SIC E-FUSE DEMONSTRATOR | 3 - 即時 | $60,362.00 | 詳細を表示 |
| | MSCDR-EFUSE-005 | 800V20A SIC E-FUSE DEMONSTRATOR | 4 - 即時 | $63,356.00 | 詳細を表示 |
| | MSCDR-EFUSE-004 | 800V10A SIC E-FUSE DEMONSTRATOR | 4 - 即時 | $63,356.00 | 詳細を表示 |
|  | MSCDR-EFUSE-006 | 800V30A SIC E-FUSE DEMONSTRATOR | 4 - 即時 | $63,356.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2023-08-24
日本