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TO-247-3 AC EP
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SIHG21N65EF-GE3

DigiKey製品番号
SIHG21N65EF-GE3-ND
メーカー
Vishay Siliconix
メーカー製品番号
SIHG21N65EF-GE3
商品概要
MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC
メーカーの標準リードタイム
25 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 650 V 21A（Tc） 208W（Tc） スルーホール TO-247AC
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
SIHG21N65EF-GE3 モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Vishay Siliconix
シリーズ
-
梱包形態
チューブ
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
21A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
180ミリオーム @ 11A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
106 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
2322 pF @ 100 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
208W（Tc）
動作温度
-55°C～150°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ
TO-247AC
パッケージ/ケース
TO-247-3
ベース品番
SIHG21
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