FET、MOSFET

MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は、アナログ回路とデジタル回路の両方で電流を制御するために一般的に使用される半導体スイッチの一種です。ゲート端子に電圧を印加することで動作し、ドレイン端子とソース端子間の電流の流れを調整します｡高効率、低消費電力、高速スイッチングにより、MOSFETは、電源、モータドライバ、DC/DCコンバータ、CMOSロジック回路などに広く使用されています。

MOSFETを選ぶ際には、その電気的特性をアプリケーションに適合させることが重要です。まず、ドレイン～ソース間電圧（VDS）をチェックし、回路が遭遇する最高電圧を超えていることを確認します。次に、ゲート閾値値電圧（VGS(th)）を確認します。マイクロコントローラ（3.3Vまたは5Vロジックなど）を使用している場合は、それらの電圧で完全にオンになるロジックレベルのMOSFETが必要になります。連続ドレイン電流（ID）定格は、負荷が引き込む電流を満たすか、それを上回る必要があり、オン抵抗（RDS(on)）を低くすることで、熱と電力損失を最小限に抑えることができます。

MOSFETには主にNチャンネル型とPチャンネル型の2種類があり、それぞれにエンハンスメントモードとデプレッションモードのバリエーションがあります。NチャンネルエンハンスメントモードMOSFETは、電子移動度が高いため、オン抵抗が低く、スイッチング効率が高いことから、最も一般的に使用されています。MOSFETとBJT（バイポーラ接合トランジスタ）は、どちらもスイッチまたはアンプとして機能しますが、MOSFETは電圧制御デバイスであるのに対し、BJTは電流制御デバイスです。このため、MOSFETは、高速、低消費電力、熱に敏感なアプリケーションで大きな優位性を発揮します｡