Name: IPW60R170CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW60R170CFD7XKSA1-ND
Price: 996.6 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 300µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 28 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™ CFD7	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1199 pF @ 400 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 75W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3-21
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 14A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPW60R170
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 170ミリオーム @ 6A、10V

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代替品リスト（6）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IXFH42N60P3	IXYS	0	IXFH42N60P3-ND	¥2,303.00000	類似
IXFX44N80Q3	IXYS	0	IXFX44N80Q3-ND	¥6,438.53000	類似
IXTH24N65X2	IXYS	326	IXTH24N65X2-ND	¥1,506.00000	類似
SIHG22N60AE-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHG22N60AE-GE3-ND	¥881.00000	類似
SIHG22N65E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHG22N65E-GE3-ND	¥485.44800	類似

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