TO-247-3 シングルFET、MOSFET

品目 : 2,079
メーカー
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCoolCADDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris CorporationInfineon Technologies
シリーズ
-AlphaSGT™aMOS5™aMOS™C2M™C3M™Cool MOS™CoolMOS™CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD2
梱包形態
チューブテープ&リール(TR)トレイバッグバルク
製品ステータス
Digi-Keyでは取扱い終了アクティブ新規設計向けに不適合生産中止品購入可能最終日あり
FETタイプ
-NチャンネルPチャンネル
技術
-GaNFET(カスコード窒化ガリウムFET)GaNFET(窒化ガリウム)MOSFET(金属酸化物)SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ)SiCFET(Cascode SiCJFET)SiCFET(炭化ケイ素)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
24 V30 V40 V50 V55 V60 V65 V70 V75 V80 V85 V100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
200mA(Tc)500mA(Tc)1A(Tc)1.5A(Tc)2A(Tc)2A(Tj)2.4A(Tc)2.5A(Tc)2.6A(Tc)3A3A(Tc)3A(Tc)(95°C)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
0V0V、10V2.8V4.5V、10V5V、20V6V、10V7V、10V7.5V、10V8V、10V10V10V、12V10V、15V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
1.28ミリオーム @ 100A、10V1.3ミリオーム @ 100A、10V1.6ミリオーム @ 100A、10V1.6ミリオーム @ 180A、10V1.7ミリオーム @ 100A、10V1.7ミリオーム @ 195A、10V1.8ミリオーム @ 100A、10V1.85ミリオーム @ 195A、10V1.85ミリオーム @ 50A、10V1.9ミリオーム @ 100A、10V2ミリオーム @ 100A、10V2.1ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
2V @ 1mA2V @ 250µA2.2V @ 2mA(標準)2.38V @ 5mA2.4V @ 10mA2.4V @ 1mA2.4V @ 2.5mA(標準)2.4V @ 5mA2.4V @ 5mA(標準)2.4V @ 7.5mA(標準)2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
4.9 nC @ 10 V5.3 nC @ 18 V5.5 nC @ 12 V7.4 nC @ 10 V8.1 nC @ 12 V8.5 nC @ 18 V9.5 nC @ 15 V10 nC @ 20 V10.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11 nC @ 20 V11.7 nC @ 12 V
Vgs(最大)
-8V、+19V+15V、-4V+15V、-5V±15V15V、12V+18V、-4V+18V、-5V+18V、-8V±18V+19V、-10V+19V、-8V+20V、-10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
111 pF @ 1000 V116 pF @ 25 V124 pF @ 1000 V133 pF @ 1000 V142 pF @ 1000 V150 pF @ 600 V150 pF @ 1000 V160 pF @ 1000 V182 pF @ 800 V184 pF @ 1360 V191 pF @ 1000 V200 pF @ 1000 V
FET機能
-デプリーションモード
電力散逸(最大)
3.1W(Ta)、500W(Tc)3.12W(Ta)、208.3W(Tc)3.12W(Ta)、277.7W(Tc)3.8W(Ta)、230W(Tc)3.8W(Ta)、341W(Tc)3.8W(Ta)、556W(Tc)8.3W(Ta)、208W(Tc)15W(Tc)15.6W(Ta)、312W(Tc)18W(Ta)、500W(Tc)32W(Tc)44W(Tc)
動作温度
-65°C~150°C(TJ)-60°C~175°C(TJ)-55°C~135°C(TJ)-55°C~150°C-55°C~150°C(TA)-55°C~150°C(TJ)-55°C~155°C(TJ)-55°C~175°C-55°C~175°C(TJ)-55°C~200°C(TJ)-50°C~150°C(TJ)-40°C~150°C(TJ)-40°C~175°C(TJ)150°C
グレード
-自動車
認定
-AEC-Q101
取り付けタイプ
スルーホール面実装
サプライヤデバイスパッケージ
HiP247™HiP247™長リード線ISO TO-247-3ISO247ISOPLUS247™MAX247™PG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TO247-3-21PG-TO247-3-31PG-TO247-3-40PG-TO247-3-41
在庫状況
環境規制対応状況
メディア
マーケットプレイス製品
2,079品目
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表示品目
/ 2,079
メーカー品番
在庫数量
価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
Id印加時のVgs(th)(最大)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
Vgs(最大)
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
FET機能
電力散逸(最大)
動作温度
グレード
認定
取り付けタイプ
サプライヤデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
TO-247-3 AC EP
IRFP250MPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Infineon Technologies
2,692
在庫あり
1 : ¥486.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
200 V
30A(Tc)
10V
75ミリオーム @ 18A、10V
4V @ 250µA
123 nC @ 10 V
±20V
2159 pF @ 25 V
-
214W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP054NPBF
MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC
Infineon Technologies
689
在庫あり
1 : ¥573.00000
チューブ
チューブ
新規設計向けに不適合
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
55 V
81A(Tc)
10V
12ミリオーム @ 43A、10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 25 V
-
170W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP260MPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
4,563
在庫あり
1 : ¥576.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
200 V
50A(Tc)
10V
40ミリオーム @ 28A、10V
4V @ 250µA
234 nC @ 10 V
±20V
4057 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
IRFP254PBF
IRFP240PBF
MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
2,281
在庫あり
1 : ¥584.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
200 V
20A(Tc)
10V
180ミリオーム @ 12A、10V
4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP064NPBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Infineon Technologies
1,224
在庫あり
1 : ¥597.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
55 V
110A(Tc)
10V
8ミリオーム @ 59A、10V
4V @ 250µA
170 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
Infineon Technologies
6,382
在庫あり
1 : ¥612.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
100 V
57A(Tc)
10V
25ミリオーム @ 28A、10V
4V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP250NPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Infineon Technologies
6,064
在庫あり
1 : ¥612.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
200 V
30A(Tc)
10V
75ミリオーム @ 18A、10V
4V @ 250µA
123 nC @ 10 V
±20V
2159 pF @ 25 V
-
214W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Infineon Technologies
557
在庫あり
1 : ¥673.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
120A(Tc)
10V
4.2ミリオーム @ 75A、10V
4V @ 150µA
120 nC @ 10 V
±20V
4520 pF @ 50 V
-
220W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
IRFP254PBF
IRFP9240PBF
MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
Vishay Siliconix
3,620
在庫あり
1 : ¥676.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Pチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
200 V
12A(Tc)
10V
500ミリオーム @ 7.2A、10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
IRFP254PBF
IRFP450PBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Vishay Siliconix
3,007
在庫あり
1 : ¥724.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
500 V
14A(Tc)
10V
400ミリオーム @ 8.4A、10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
IRFP254PBF
IRFP350PBF
MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
Vishay Siliconix
1,743
在庫あり
1 : ¥764.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
400 V
16A(Tc)
10V
300ミリオーム @ 9.6A、10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3-PKG-Series
APT24F50B
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
Microchip Technology
284
在庫あり
1 : ¥772.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
500 V
24A(Tc)
10V
240ミリオーム @ 11A、10V
5V @ 1mA
90 nC @ 10 V
±30V
3630 pF @ 25 V
-
335W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247 [B]
TO-247-3
IRFP254PBF
IRFP450APBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Vishay Siliconix
374
在庫あり
1 : ¥778.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
500 V
14A(Tc)
10V
400ミリオーム @ 8.4A、10V
4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±30V
2038 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
7,014
在庫あり
1 : ¥796.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
200 V
50A(Tc)
10V
40ミリオーム @ 28A、10V
4V @ 250µA
234 nC @ 10 V
±20V
4057 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4321PBF
MOSFET N-CH 150V 78A TO247AC
Infineon Technologies
6,268
在庫あり
1 : ¥796.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
150 V
78A(Tc)
10V
15.5ミリオーム @ 33A、10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4460 pF @ 25 V
-
310W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Infineon Technologies
4,936
在庫あり
1 : ¥801.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
100 V
120A(Tc)
10V
6ミリオーム @ 75A、10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
±20V
6860 pF @ 50 V
-
280W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC
Infineon Technologies
1,526
在庫あり
1 : ¥828.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
200 V
65A(Tc)
10V
25ミリオーム @ 46A、10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
330W(Tc)
-40°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
7,003
在庫あり
1 : ¥873.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
5A(Tc)
20V
1.2オーム @ 2A、20V
5.5V @ 500µA
11 nC @ 20 V
+25V、-10V
111 pF @ 1000 V
-
44W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
IRFP254PBF
IRFP460PBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
3,414
在庫あり
1 : ¥894.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
500 V
20A(Tc)
10V
270ミリオーム @ 12A、10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 25 V
-
280W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4110PBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Infineon Technologies
975
在庫あり
1 : ¥918.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
100 V
120A(Tc)
10V
4.5ミリオーム @ 75A、10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW3N150
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STMicroelectronics
1,014
在庫あり
1 : ¥920.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
1500 V
2.5A(Tc)
10V
9オーム @ 1.3A、10V
5V @ 250µA
29.3 nC @ 10 V
±30V
939 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
IRFP254PBF
IRFP460APBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
3,829
在庫あり
1 : ¥933.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
500 V
20A(Tc)
10V
270ミリオーム @ 12A、10V
4V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±30V
3100 pF @ 25 V
-
280W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
PG-TO247-3
SPW20N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Infineon Technologies
1,407
在庫あり
1 : ¥953.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
650 V
20.7A(Tc)
10V
190ミリオーム @ 13.1A、10V
3.9V @ 1mA
114 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
208W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP2907PBF
MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Infineon Technologies
2,157
在庫あり
1 : ¥974.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
75 V
209A(Tc)
10V
4.5ミリオーム @ 125A、10V
4V @ 250µA
620 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 25 V
-
470W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
IRFP254PBF
IRFP264PBF
MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Vishay Siliconix
480
在庫あり
1 : ¥1,024.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
250 V
38A(Tc)
10V
75ミリオーム @ 23A、10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
280W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247AC
TO-247-3
表示品目
/ 2,079

TO-247-3 シングルFET、MOSFET


ディスクリート型の電界効果トランジスタ(FET)は、パワー変換、モータ制御、ソリッドステート照明など、大電流を通電しつつ高周波数でのオンオフ切り換え可能な特性が有利な用途で広く使用されます。数百ボルト以下の電圧定格を必要とする用途でほぼ全面的に使用されていますが、これを超える電圧定格ではIGBTなど他のタイプのデバイスが有利になります。