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カテゴリ | Id、Vgs印加時のRds On(最大) 12ミリオーム @ 100A、20V |
メーカー SemiQ | Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 40mA |
梱包形態 トレイ | Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 476nC @ 20V |
部品状況 アクティブ | Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 13100pF @ 800V |
技術 シリコンカーバイド(SiC) | 電力 - 最大 750W(Tc) |
構成 Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) | 動作温度 -40°C~175°C(TJ) |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 1200V(1.2kV) | 取り付けタイプ シャーシマウント |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 214A(Tc) | パッケージ/ケース モジュール |
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トレイ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14,649.00000 | ¥14,649 |
| 10 | ¥11,413.00000 | ¥114,130 |
| 100 | ¥11,128.81000 | ¥1,112,881 |
| 単価(消費税抜き): | ¥14,649.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥16,113.90000 |
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