新製品
GCMX010A120B3H1P
写真は、部品の参考イメージと
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タシートを参照ください。

GCMX010A120B3H1P

DigiKey製品番号
1560-GCMX010A120B3H1P-ND
メーカー
メーカー製品番号
GCMX010A120B3H1P
商品概要
1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
メーカーの標準リードタイム
22 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 201A(Tc) 600W(Tc) シャーシマウント
データシート
 データシート
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
SemiQ
シリーズ
梱包形態
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド(SiC)
構成
4個のNチャンネル(フルブリッジ)
FET機能
-
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200V(1.2kV)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
201A(Tc)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
14ミリオーム @ 100A、20V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 40mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
428nC @ 20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
10900pF @ 800V
電力 - 最大
600W(Tc)
動作温度
-40°C~175°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
-
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