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カテゴリ | Id、Vgs印加時のRds On（最大） 7ミリオーム @ 200A、20V |
メーカー SemiQ | Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 80mA |
梱包形態 トレイ | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 978nC @ 20V |
部品状況 アクティブ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 29300pF @ 800V |
技術 シリコンカーバイド（SiC） | 電力 - 最大 1042W（Tc） |
構成 Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） | 動作温度 -40°C～175°C（TJ） |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200V（1.2kV） | 取り付けタイプ シャーシマウント |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 348A（Tc） | パッケージ/ケース モジュール |
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| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36,416.00000 | ¥36,416 |
| 10 | ¥32,679.80000 | ¥326,798 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥36,416.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥40,057.60000 |
