型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | SemiQ | |
シリーズ | - | |
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | シリコンカーバイド(SiC) | |
構成 | Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 348A(Tc) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 7ミリオーム @ 200A、20V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4V @ 80mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 978nC @ 20V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 29300pF @ 800V | |
電力 - 最大 | 1.042kW(Tc) | |
動作温度 | -40°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | シャーシマウント | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥26,722.00000 | ¥26,722 |
| 10 | ¥24,257.40000 | ¥242,574 |
| 単価(消費税抜き): | ¥26,722.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥29,394.20000 |



