MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 625A(Tc) 2113W(Tc) シャーシマウント
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GCMX003A120S3B1-N

DigiKey製品番号
1560-GCMX003A120S3B1-N-ND
メーカー
メーカー製品番号
GCMX003A120S3B1-N
商品概要
1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
メーカーの標準リードタイム
22 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 625A(Tc) 2113W(Tc) シャーシマウント
データシート
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製品属性
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カテゴリ
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
5.5ミリオーム @ 300A、20V
メーカー
SemiQ
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 120mA
シリーズ
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
1408nC @ 20V
梱包形態
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
41400pF @ 800V
部品状況
アクティブ
電力 - 最大
2113W(Tc)
技術
シリコンカーバイド(SiC)
動作温度
-40°C~175°C(TJ)
構成
Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)
取り付けタイプ
シャーシマウント
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200V(1.2kV)
パッケージ/ケース
モジュール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
625A(Tc)
環境および輸出に関する分類
製品に関する質問と回答
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メーカーの標準パッケージ
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