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カテゴリ | Id、Vgs印加時のRds On（最大） 28ミリオーム @ 50A、20V |
メーカー SemiQ | Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 20mA |
梱包形態 トレイ | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 241nC @ 20V |
部品状況 アクティブ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6500pF @ 800V |
技術 シリコンカーバイド（SiC） | 電力 - 最大 385W（Tc） |
構成 Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） | 動作温度 -40°C～175°C（TJ） |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200V（1.2kV） | 取り付けタイプ シャーシマウント |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 102A（Tc） | パッケージ/ケース モジュール |
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| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥10,121.00000 | ¥10,121 |
| 10 | ¥7,717.70000 | ¥77,177 |
| 100 | ¥7,103.76000 | ¥710,376 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥10,121.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥11,133.10000 |
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