新製品
GCMX003A120S3B1-N
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

GCMX005A120S3B1-N

DigiKey製品番号
1560-GCMX005A120S3B1-N-ND
メーカー
メーカー製品番号
GCMX005A120S3B1-N
商品概要
1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE
メーカーの標準リードタイム
22 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 424A(Tc) 1.531kW(Tc) シャーシマウント
データシート
 データシート
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
SemiQ
シリーズ
梱包形態
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド(SiC)
構成
Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)
FET機能
-
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200V(1.2kV)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
424A(Tc)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
7ミリオーム @ 200A、20V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 80mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
901nC @ 20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
26400pF @ 800V
電力 - 最大
1.531kW(Tc)
動作温度
-40°C~175°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
-
製品に関する質問と回答

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在庫:3個
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数量 単価 請求価格
1¥31,215.00000¥31,215
15¥29,088.00000¥436,320
メーカーの標準パッケージ
単価(消費税抜き):¥31,215.00000
単価(消費税込み):¥34,336.50000