Name: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 629.2 JPY
Availability: InStock

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ISZ113N10NM5LF2ATMA1
DigiKey製品番号	448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	ISZ113N10NM5LF2ATMA1
商品概要	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 10A（Ta）、63A（Tc） 2.5W（Ta）、100W（Tc）面実装 PG-TSDSON-8 FL
データシート	データシート
EDA/CADモデル	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 11.3ミリオーム @ 20A、10V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 36µA
シリーズ OptiMOS™ 5	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 29 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2300 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2.5W（Ta）、100W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 10A（Ta）、63A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TSDSON-8 FL
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN