Name: ISC030N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC030N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 631.4 JPY
Availability: InStock

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ISC030N10NM6ATMA1
DigiKey製品番号	448-ISC030N10NM6ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-ISC030N10NM6ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-ISC030N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	ISC030N10NM6ATMA1
商品概要	TRENCH >=100V PG-TDSON-8
メーカーの標準リードタイム	26 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 21A（Ta）、179A（Tc） 3W（Ta）、208W（Tc）面実装 PG-TDSON-8 FL
データシート	データシート
EDA/CADモデル	ISC030N10NM6ATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™ 6
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	21A（Ta）、179A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	8V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	3ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.3V @ 109µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	69 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	5200 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3W（Ta）、208W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TDSON-8 FL
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
ベース品番	ISC030N