第4世代SiC MOSFET

ROHMの第4世代SiC MOSFETは、15Vのゲート対ソース間電圧をサポートし、アプリケーション設計の自由度を向上

ROHMの第4世代SiC MOSFETの画像ROHMの第4世代SiC MOSFETは、短絡耐性を犠牲にすることなく、優れた低オン抵抗を提供します。また、低スイッチング損失、15Vのゲート対ソース間電圧サポートなどの機能を含み、デバイスのさらなる省電力化に貢献します。

スイッチング損失/オン抵抗の比較
    画像:ROHMの第4世代SiC MOSFETのグラフ
特長
  • 短絡耐性を犠牲にすることなく、優れた低オン抵抗を実現
  • 寄生容量を大幅に低減し、スイッチング損失を最小化
  • 15Vのゲート対ソース間電圧をサポートし、アプリケーション設計の自由度を向上
応用
  • ソーラーインバータ
  • DC/DCコンバータ
  • スイッチモード電源
  • 誘導加熱
  • モータドライブ

4th Generation SiC MOSFETs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STRSCT4026DEC11750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR4843 - 即時$3,182.00詳細を表示
750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STRSCT4013DRC15750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR936 - 即時$5,583.00詳細を表示
1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-STSCT4036KEC111200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST4657 - 即時$3,020.00詳細を表示
750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STRSCT4026DRC15750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR3420 - 即時$2,971.00詳細を表示
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STRSCT4045DRC15750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR3539 - 即時$2,069.00詳細を表示
1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-STSCT4062KRC151200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST4440 - 即時$1,873.00詳細を表示
1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-STSCT4036KRC151200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST4516 - 即時$3,018.00詳細を表示
1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-STSCT4018KRC151200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST4265 - 即時$5,696.00詳細を表示
1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-STSCT4062KEC111200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST4706 - 即時$2,016.00詳細を表示
750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STRSCT4045DEC11750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR4120 - 即時$2,069.00詳細を表示
刊行: 2022-06-01