第4世代SiC MOSFET

ROHMの第4世代SiC MOSFETは、15Vのゲート対ソース間電圧をサポートし、アプリケーション設計の自由度を向上

ROHMの第4世代SiC MOSFETの画像ROHMの第4世代SiC MOSFETは、短絡耐性を犠牲にすることなく、優れた低オン抵抗を提供します。また、低スイッチング損失、15Vのゲート対ソース間電圧サポートなどの機能を含み、デバイスのさらなる省電力化に貢献します。

スイッチング損失/オン抵抗の比較
    画像:ROHMの第4世代SiC MOSFETのグラフ
特長
  • 短絡耐性を犠牲にすることなく、優れた低オン抵抗を実現
  • 寄生容量を大幅に低減し、スイッチング損失を最小化
  • 15Vのゲート対ソース間電圧をサポートし、アプリケーション設計の自由度を向上
応用
  • ソーラーインバータ
  • DC/DCコンバータ
  • スイッチモード電源
  • 誘導加熱
  • モータドライブ

4th Generation SiC MOSFETs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量料金詳細を表示
750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STRSCT4026DEC11750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR4843 - 即時$3,458.00詳細を表示
750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STRSCT4013DRC15750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR438 - 即時$6,102.00詳細を表示
1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-STSCT4036KEC111200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST4652 - 即時$3,502.00詳細を表示
750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STRSCT4026DRC15750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR3387 - 即時$3,458.00詳細を表示
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STRSCT4045DRC15750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR3525 - 即時$2,363.00詳細を表示
1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-STSCT4062KRC151200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST4418 - 即時$2,411.00詳細を表示
1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-STSCT4036KRC151200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST4506 - 即時$3,502.00詳細を表示
1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-STSCT4018KRC151200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST4201 - 即時$6,187.00詳細を表示
1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-STSCT4062KEC111200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST4636 - 即時$2,411.00詳細を表示
750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STRSCT4045DEC11750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR4080 - 即時$2,363.00詳細を表示
刊行: 2022-06-01