炭化ケイ素(EliteSiC)MOSFET

onsemiのEliteSiC MOSFETは、高効率、電力密度の向上、およびシステムサイズの縮小を実現

onsemiの炭化ケイ素(SiC)MOSFETの画像onsemiの炭化ケイ素(EliteSiC)MOSFETは、シリコンと比較して優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供する技術を使用しています。さらに、低いオン抵抗とコンパクトなチップサイズにより、低い静電容量とゲート電荷が確保されます。その結果、システムの利点には、高効率、動作周波数の高速化、電力密度の向上、EMIの低減、およびシステムサイズの縮小が含まれます。

アプリケーションノート
特長
  • 定格1200V
  • 最大RDS(ON) = 110mΩ @ VGS = 20V、ID = 20A
  • 高速スイッチングと低静電容量
  • 100%のUILテスト済み
  • AEC-Q101に従って自動車用に認定
用途
  • PFC
  • OBC
  • 昇圧インバータ
  • PV充電
最終製品
  • EV/PHEV向け自動車用DC/DCコンバータ
  • 車載用オンボード充電器
  • 自動車用補助モータドライブ
 
  • ソーラーインバータ
  • ネットワーク電源
  • サーバ電源

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

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SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4NTH4L040N120SC1SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4582 - 即時
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3600 - 工場在庫品
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SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7NTBG040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7548 - 即時
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更新日: 2020-04-07
刊行: 2019-05-29