NTHL080N120SC1 onsemi | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.3V @ 5mA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 56 nC @ 20 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +25V、-15V
部品状況生産中止品	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1670 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 348W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 44A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 110ミリオーム @ 20A、20V	ベース品番 NTHL080

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NTHL080N120SC1