SiCパワーMOSFETおよびダイオードゲートドライブ評価ボードキット

IXYS、Littelfuse Technologyのゲートドライバ評価ボードは、SiC設計のシステムレベルの影響を分析

SiCパワーMOSFETおよびダイオードゲートドライブ評価ボードキットの画像IXYSLittelfuse Technologyは、シリコンカーバイドMOSFETとダイオード用のゲートドライバ評価ボードを開発しました。GDEVシステムは、ゲートドライバモジュールボードを挿入できるマザーボードで構成されており、ユーザーはSiCベースの設計に関連するシステムレベルの影響を分析できます。明確に定義され最適化されたテスト条件下で、さまざまなゲートドライバハーフブリッジ構成ソリューションのパフォーマンスを比較する機能を提供します。さらに、GDEVは、ゲートドライバの熱性能とEMI耐性を評価するために、連続動作条件下でテストゲート駆動回路を提供します。

リソース

特長
  • 定格電圧および定格電流下でのSiCパワーMOSFETおよびダイオードの連続動作の評価
  • 明確に定義され最適化されたテスト条件下で、さまざまなゲートドライバソリューションのパフォーマンスを比較します。
  • 連続動作条件下でゲート駆動回路をテストして、ゲートドライバの熱性能とEMI耐性を評価します
  • SiC設計におけるシステムレベルの影響を分析
    • 効率改善
    • EMI放射
    • 受動部品(サイズ、コスト、重量)

SiC Power MOSFET and Diode Gate Drive Evaluation Board Kit

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EVAL BOARD FOR SIC DIODESLF-SIC-EVB-GDEV1EVAL BOARD FOR SIC DIODES0 - 即時See Page for Pricing詳細を表示

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刊行: 2019-12-17