型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | IXYS | |
シリーズ | - | |
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | 生産中止品 | |
技術 | シリコンカーバイド(SiC) | |
構成 | 2 Nチャンネル(デュアル) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 55A(Tc) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 34ミリオーム @ 50A、20V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4V @ 15mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 161nC @ 20V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 2790pF @ 1000V | |
電力 - 最大 | - | |
動作温度 | -55°C~150°C | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | 9-SMD電源モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | SMPD | |
ベース品番 |

