MCB40P1200LB-TUB IXYS | FET、MOSFETアレイ

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 15mA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 161nC @ 20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2790pF @ 1000V
部品状況生産中止品	動作温度 -55°C～150°C
技術シリコンカーバイド（SiC）	取り付けタイプ面実装
構成 2 Nチャンネル（デュアル）	パッケージ/ケース 9-SMD電源モジュール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200V（1.2kV）	サプライヤデバイスパッケージ SMPD
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 55A（Tc）	ベース品番 MCB40P1200
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 34ミリオーム @ 50A、20V

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MCB40P1200LB-TUB