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SiC（シリコンカーバイド）超高速スイッチングMOSFET - LSIC1MOシリーズ
Littelfuseは、エンハンスメントモード対応のNチャンネルSiC MOSFET「LSIC1MOシリーズ」を発売
IXYS（Littelfuse Technology社の一部門）のSiC MOSFETは、従来のSiベースのパワートランジスタデバイスに代わる優れた代替製品です。MOSFETデバイス構造により、同定格のIGBTと比較して、1サイクルあたりのスイッチング損失が低く、軽負荷効率を向上させることができます。材料固有の特性により、SiC製のMOSFETは、Si製のMOSFETと比較して、ブロッキング電圧、固有のオン抵抗、接合部容量の点で優れています。このような堅牢な設計により、より広い範囲の高温アプリケーションに対応します。スイッチング周波数が高くなれば、パッシブフィルタの小型化が可能になり、デバイスの損失が小さくなれば、ヒートシンクの小型化が可能になります。これらの機能を組み合わせることで、システム効率と電力密度を向上させることができます。このデバイスは、電圧/電流定格あたりのダイサイズが小さく、モータドライブ制御、電力変換システム、ソーラーインバータなどのアプリケーションに最適です。
リソース
特長
- 高温動作
- 高いブロッキング電圧と低い特定オン抵抗（SiC材料特性）
- 超高速スイッチング
- スイッチング損失の低減
応用
- 電力変換システム
- ソーラーインバータ
- スイッチモード電源
- UPSシステム
- モータドライブ
- 高電圧DC/DCコンバータ
- バッテリチャージャ
Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFETs - LSIC1MO Series
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | LSIC1MO120E0080 | SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 | 369 - 即時 | $3,012.00 | 詳細を表示 |
| LSIC1MO120E0120 | SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 | 0 - 即時 | See Page for Pricing | 詳細を表示 | |
| | LSIC1MO120E0160 | SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 | 2227 - 即時 1800 - 工場在庫品 | $1,987.00 | 詳細を表示 |
| | LSIC1MO170E0750 | SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3 | 391 - 即時 | $1,320.00 | 詳細を表示 |
|  | LSIC1MO170T0750 | SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L | 873 - 即時 | $1,556.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2021-06-25
日本