IXFN70N120SK IXYS | シングルFET、MOSFET

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IXYS

在庫あり: 182

単価 : ¥15,504.00000

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 15mA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 161 nC @ 20 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +20V、-5V
部品状況生産中止品	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2790 pF @ 1000 V
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -40°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	取り付けタイプシャーシマウント
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 68A（Tc）	パッケージ/ケース SOT-227-4、miniBLOC
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V	ベース品番 IXFN70
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 34ミリオーム @ 50A、20V

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IXFN70N120SK