MCB60I1200TZ-TUB IXYS | ディスクリート半導体製品

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	IXYS
シリーズ	-
梱包形態	チューブ
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	90A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	20V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	34ミリオーム @ 50A、20V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 15mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	160 nC @ 20 V
Vgs（最大）	+20V、-5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2790 pF @ 1000 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	-
動作温度	-40°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-268AA（D3Pak-HV）
パッケージ/ケース	TO-268-3、D3PAK（2リード + タブ）、TO-268AA
ベース品番	MCB60I1200