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GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies

Transphorm

This presentation will cover an overview of GaN versus silicon carbide and how GaN compares with silicon carbide in a DC to DC hard switched synchronous boost converter. In addition, it will provide a customer example using a bridgeless totem-pole PFC and it will show how to increase performance by reducing the high current path DC resistance.

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PTM Published on: 2018-04-11

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