設計リソース

Transphormは、高電圧の電力変換用途に適した最高の性能と信頼性を備えたGaNデバイスでGaN革命をリードします。 GaNの実装設計に役立つさまざまなツールとリソースをご用意しています。

  • 評価キット

  • アプリケーションノート

  • 設計ガイド

  • SPICEモデル

  • 技術資料

  • お客様の使用事例

  • 教育

評価キット

 

品番 製品概要 詳細を閲覧
TDTTP2500P100-KIT-ND 2.5KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT 詳細を閲覧
TDTTP4000W066B-KIT-ND 4KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT 詳細を閲覧
TDINV1000P100-KIT-ND 1KW INVERTER EVALUATION KIT 詳細を閲覧
TDINV3000W050-KIT 3.0KW INVERTER EVAL KIT 詳細を閲覧
TDINV3500P100-KIT-ND 3.5KW INVERTER EVAL KIT 詳細を閲覧
TDHBG2500P100-KIT-ND 2.5KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT 詳細を閲覧

品番別のSPICEモデル

 

GaNを用いた設計に関連するさまざまなトピックを扱う技術資料の一覧

 

 

Barr, R.、Haller, J.、Shono, K.、Georgieva, E.、McKay, J.、Smith, P.、Smith, K.、Rakesh, L.、Yifeng, Y.著『高電圧用GaNスイッチの信頼性』（2018年11月）

Parikh Primit、Smith Kurt、Barr Ronald他著『商用650V GaNが自動車規格に適合』（ECS Transactions、2017年9月）

Parikh Primit著『高電圧窒化ガリウム電界効果トランジスタの採用推進（専門家の見解）』（IEEE Power Electronics Magazine、2017年9月）

Huang Zan、Cuadra, Jason著『GaNデバイスのVHF振動の防止』（APEC 2017業界セッション、2017年3月）

Zuk Philip、Campeau Gaetan著『GaNを用いて1時間以内に設計する方法』（APEC 2017出展者セッション、2017年3月）

Smith Kurt、Barr, Ronald著『GaN電源装置の信頼性ライフサイクル』（ホワイトペーパー、2017年3月）

Wang Zhan、Wu Yifeng著『GaN HEMTに基づく効率99%、正真正銘ブリッジレスのトーテムポールPFC』

Wang Zhan、Honea Jim、Wu Yifeng著『GaN HEMTを用いた高効率3レベルインバータの設計と実装』（2015年5月、IEEEのアクセス権が必要）

Zhou Liang、Wu Yifeng、Honea Jim、Wang Zhan著『GaN HEMTに基づく高効率、正真正銘ブリッジレスのトーテムポールPFC：設計上の課題とコスト効率の良いソリューション』（2015年5月、IEEEのアクセス権が必要）

Wang Zhan、Wu Yifeng、Honea Jim、Zhou Liang著『ダイオードを使用しないブリッジ電力変換回路向けのGaN HEMTの並列接続』（2015年3月）

Kikkawa T.他著『シリコン基板における600V JEDEC適合高信頼性GaN HEMT』（2014年12月、IEEEのアクセス権が必要）

Wu Yifeng、Guerrero Jose、McKay Jim、Smith Kurt著『シリコン基板における高電圧GaN電源装置の信頼性と作動空間の進歩』（2014年10月、IEEEのアクセス権が必要）

Wang Zhan、Honea Jim、Yuxiang Shi、Hui Li著『鉛入りパッケージのGaN HEMT向けドライバ回路に関する調査結果』（2014年10月）

Wu Y.、Gritters J.、Shen, L.、Smith R.P.、Swenson, B.著『800V、100kHzで効率99%のコンバータを実現するkV級GaN-on-Si HEMT』（2014年6月、IEEEのアクセス権が必要）

Wu, Y.、Gritters J.、Shen, L.、Smith R.P.、McKay J.、Barr, R.、Birkhahn R.著『第1世代600V GaN-on-Siパワートランジスタの性能と堅牢性』,（2013年10月、IEEEのアクセス権が必要）

Parikh Primit、Wu Yifeng、Shen Likun著『高い600VのGaN-on-Silicon電源装置の商用化』（2013年5月、IEEEのアクセス権が必要）

Wu Yifeng著『将来のHEVに対するGaNのメリット』（2013年3月）

Wu Y.、Kebort D.、Guerrero J.、Yea S.、Honea J.、Shirabe K.、Kang J.著『純正弦波出力の高周波数GaNダイオードフリーモーター駆動インバータ』（2012年10月）

Shirabe Kohei、Swamy Mahesh、Kang Jun-Koo、Hisatsune Masaki、Wu Yifeng、Kebort Don、Honea Jim著『ACモーター駆動における高周波数PWMのメリット』（2012年9月、IEEEのアクセス権が必要）

Wu Y.、Coffie R.、Fichtenbaum N.、Dora Y.、Suh C.S.、Shen L.、Parikh P.、Mishra U.K.著『電力変換向けの完全GaNソリューション』（2011年6月、IEEEのアクセス権が必要）

教育

 

TransphormのカスコードGaN FETとEモードFETの比較結果

カスコード対eモードの蜘蛛の巣グラフ

ビデオ

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