TP65H050WS/TP65H035WS、第3世代（Gen III）窒化ガリウム（GaN）電界効果トランジスタ（FET）

TransphormのTP65H050WSおよびTP65H035WSは、Gen III 650VのGaN FETです。ゲートノイズ耐性を向上させたこれらの製品は、EMIを低減し、回路アプリケーションのヘッドルームを拡大します。50mΩのTP65H050WSと35mΩのTP65H035WSは、標準TO-247パッケージで提供されています。

MOSFETと設計の変更により、Gen IIIデバイスは、2.1V（Gen II）から4Vに増加した閾値電圧（ノイズ耐性）を提供し、これによって負のゲートドライブが不要になります。ゲートの信頼性は、Gen IIに比べて11％、最大±20V増加しました。これにより、より静かなスイッチングが可能になり、シンプルな外付け回路を使用して高電流レベルで性能の向上を実現します。

Seasonic Electronics Company'の1600Tは、1600Wのブリッジレスのトーテムポールプラットフォームで、これらの高電圧GaN FETを使用してバッテリチャージャ（電動スクーター、産業用など）、PC電源、サーバ、ゲーム市場で99％の力率補正（PFC）を実現します。シリコンベースのプラットフォーム1600TでこれらのFETを使用する利点としては、2％の効率向上と20％の電力密度の向上があげられます。

1600Tプラットフォームは、TransphormのTP65H035WSを採用し、ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の効率を高め、電源システム製品を設計する際のオプションをユーザーに提供します。TP65H035WSは、一般的に使用されるゲートドライバと組み合わせて設計を簡素化します。