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なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
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TPD3215M | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | TPD3215M-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | TPD3215M |
商品概要 | MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 600V 70A（Tc） 470W スルーホール モジュール |
データシート | データシート |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
シリーズ | - | |
梱包形態 | バルク | |
部品状況 | 生産中止品 | |
技術 | GaNFET（窒化ガリウム） | |
構成 | Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） | |
FET機能 | - | |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 600V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 70A（Tc） | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 34ミリオーム @ 30A、8V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | - | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 28nC @ 8V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 2260pF @ 100V | |
電力 - 最大 | 470W | |
動作温度 | -40°C～150°C（TJ） | |
取り付けタイプ | スルーホール | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | モジュール | |
ベース品番 |
生産中止品
日本