STW19NM60N は購入可能ですが、通常は在庫がありません。
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パラメータ等価


STMicroelectronics
在庫あり: 532
単価 : ¥1,100.00000
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類似


Vishay Siliconix
在庫あり: 2
単価 : ¥1,462.00000
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Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥0.00000
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Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥0.00000

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Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥0.00000
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IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥860.91667

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IXYS
在庫あり: 1
単価 : ¥1,378.00000
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IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥1,122.50000

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IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥1,915.52000

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IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥1,177.79333

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IXYS
在庫あり: 540
単価 : ¥5,063.00000
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IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥0.00000
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IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥842.98333
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IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥747.33667
データシート
TO-247-3
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

STW19NM60N

DigiKey製品番号
497-13792-5-ND
メーカー
メーカー製品番号
STW19NM60N
商品概要
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
メーカーの標準リードタイム
16 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 600 V 13A(Tc) 110W(Tc) スルーホール TO-247-3
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
STW19NM60N モデル
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
シリーズ
梱包形態
チューブ
部品状況
アクティブ
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
285ミリオーム @ 6.5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
35 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±25V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
1000 pF @ 50 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
110W(Tc)
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
グレード
自動車
認定
AEC-Q101
取り付けタイプ
スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ
TO-247-3
パッケージ/ケース
ベース品番
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価格はすべてJPYです
チューブ
数量 単価 請求価格
890¥207.81461¥184,955
注:製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価(消費税抜き):¥207.81461
単価(消費税込み):¥228.59607