Name: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 674.3 JPY
Availability: InStock

Nチャンネル 25 V 47A（Ta）、310A（Tc） 2.1W（Ta）、89W（Tc）面実装 PG-WHTFN-9-1

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IQE006NE2LM5CGSCATMA1
DigiKey製品番号	448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IQE006NE2LM5CGSCATMA1
商品概要	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 25 V 47A（Ta）、310A（Tc） 2.1W（Ta）、89W（Tc）面実装 PG-WHTFN-9-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IQE006NE2LM5CGSCATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 0.58ミリオーム @ 20A、10V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 2V @ 250µA
シリーズ OptiMOS™ 5	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 82 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±16V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 5453 pF @ 12 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2.1W（Ta）、89W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 25 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 47A（Ta）、310A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-WHTFN-9-1
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース 9-PowerWDFN